01MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。 Drain→Source穿通击穿：这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了通路，所以叫做穿通（punch through）。那如何防止穿通呢？这就要回到二极管反偏...
这份资料是我在网上见到讲解MOSFET很经典的了，因此放在电子星球供感兴趣的小伙伴一同学习交流。MOS管的话题虽说是老生常谈，但这份资料几年前就有人给我分享过，这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解，从管脚的识别，到极性的分辨，再到常用功能，应用电路等等，都做了详细的解释与说明，还配了相关的图片。绝对能让你彻底理解MOS管，不可多得的学习资料，今天再次看到，决定分享一下，需要的赶快收藏！另外说点题外话：关于技术本身，我觉得大多数教育性质的机构或平台很多时候是告诉了你what？而更有意义更深层次的why需要各位攻...
关注+星标公众号，不错过精彩内容工程师之间都是这么互相打招呼的——“高工，你设计图通过了么？”“李工，工程画完了吗？”“王工，你真是越来越漂亮了！”"张工，你的DFM整完了吗"“周公，Schedule 该更新了”“刘工，DOE做到哪里了”“杨工，你这个数据分析还没提交啊”“胡工，测试报告什么时候发邮件出来啊”很正常对不对。不过要是你姓下面这些姓，你的内心一定是崩溃的。十大不想被叫“X工”的工程师排行榜#来来来，晒姓了#请问您贵姓？来源：智慧汽车供应链（ID：IASC-CN）编辑：Red K转载：如需转载，注明出处------------ END --------...
俗话说，干一行爱一行现实是，最爱的行业往往伤人最深无论外人看起来多么高大上的硬件行业工程师一句话就能让其原形毕露吐槽起来，那更是一个稳准狠上次发布的《硬件工程师日常崩溃图鉴》就收到了不少工程师们的真情吐槽今天整理了一下，加了些图周末到了，纯博大家一乐01硬件工程师的使命是什么？@天明软工使命：把市场做大，行业都滋润；电工使命：把成本做低，行业一起死。02软硬工程师的区别是什么？@妞妮喃喃℡芳芳风俏软件工程师更注重思维活跃，逻辑严密; 硬件工程师更注重技术娴熟，经验丰颖！@姚毅捷-bob软件公司用最顶尖的人才解决的是...
8号线攻城狮 1月29日疑 问我们经常会看到，在一些芯片的电源入口处不是直接接入直流电源，而是在VCC入口串联一个几十欧姆的小电阻，这个电阻有什么作用呢？示意图解 答1）假设没有这个电阻R1，当芯片击穿后，芯片内部的VCC引脚跟GND短路，VCC引脚又直接跟电源15V连接，15V就会被直接拉到地，造成电源的损坏。2）接上电阻R1，当芯片被击穿后，15V电压就不会直接被拉到地，所以这个电阻的作用是防止芯片击穿后电源短路，起到保护电源的作用。3）当15V电压突然波动比较大，瞬间产生一个大的脉冲电压时，由于电阻R1的存在，它可以起到分压作用，减小输...
从头炸到尾，酸爽哦！长按识别参与------------ END ------------推荐阅读▼为什么在VCC入口串联一个小电阻？可以不加吗？硬件工程师吐槽行业，能有多狠...MOS管最经典的资料，没有之一单片机IO口设置错误引起的“电路故障”五款单按键开关机电路图分享2分钟学会一个简单USB插入检测电路干货|人人都想知道的晶振知识场效应管和双极型晶体管的工作原理动画演示芯片IC附近为什么放0.1uF的电容？1uF不行吗？长按关注微信公众号『南山扫地僧』，获取更多精彩内容。请戳右下角，给我一点在看！
上图是典型的有源滤波电路（赛伦-凯 电路，是巴特沃兹电路的一种）。有源滤波的好处是可以让大于截止频率的信号更快速的衰减，而且滤波特性对电容、电阻的要求不高。该电路的设计要点是：在满足合适的截止频率的条件下，尽可能将R233和R230的阻值选一致，C50和C201的容量大小选取一致（两级RC电路的电阻、电容值相等时，叫赛伦凯电路），这样就可以在满足滤波性能的情况下，将器件的种类归一化。其中电阻R280是防止输入悬空，会导致运放输出异常。滤波最常用的3种二阶有源低通滤波电路为：巴特沃兹，单调下降，曲线平坦最平滑；巴特沃兹低通滤波中 ...
电容是电子电路中最常见的一种元器件，今天为大家分享2种特殊电容：X电容和Y电容。1安规电容安规电容之所以称之为安规，它是指用于这样的场合：即电容器失效后，不会导致电击，也不危及人身安全。安规电容包含X电容和Y电容两种，它普通电容不一样的是，普通电容即使在外部电源断开之后，它内部储存电荷依然会保留很长一段时间，但是安规电容不会出现这个问题。安规电容大多数为蓝色、黄色、灰色以及红色等。1、安规X电容X电容是跨接在电力线两线之间，即“L-N”之间，X电容器能够抑制差模干扰，通常采取金属化薄膜电容器，电容容量是uF级。X电容多数...
▼点击下方名片，关注公众号▼导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管(FET)，简称场效应管。MOS在电路中应用很常见，主要作为开关管，在电机驱动电路中常见。场效应管可以分成两大类，一类是结型场效应管(JFET)，另一类是绝缘栅场效应管(MOSFET)。即使搜索“结型场效应管”，出来的也只有几种，你是不是怀疑结型场效应管已经被人类抛弃了的感觉，没错，JFET相对来说是比...
▼点击下方名片，关注公众号▼—— The End ——推荐阅读▼什么是接地与浮地？可能是史上最全的MOSFET技术疑难盘点 | 文末有福利关于复位芯片MAX809，看这一篇就够了运放7大经典电路分析为什么在VCC入口串联一个小电阻？可以不加吗？MOS管最经典的资料，没有之一芯片IC附近为什么放0.1uF的电容？1uF不行吗？长按关注微信公众号『南山扫地僧』，获取更多精彩内容。请戳右下角，给我一点在看！
▼点击下方名片，关注公众号▼引言目前，世界上生产的电容器约有80％是贴片型陶瓷电容器。它在手机上的用量约为300～400个，在智能手机上约为400～500个，在笔记本电脑和平板电脑上约为700～800个，为电子设备的小型化和轻量化做出了巨大的贡献。本文就将带领大家来看看陶瓷电容的那些事儿。陶瓷电容器的种类积层陶瓷贴片电容器的结构积层陶瓷贴片电容器的大容量化的基本技术积层陶瓷贴片电容器的制造方法积层陶瓷电容器的主要特性1. 陶瓷电容的种类根据使用的介电陶瓷的种类、结构和形状，陶瓷电容器分为以下种类：2. 积层陶瓷贴片电容器的结构积层...
上期内容，我们主要举例说明了，二极管的反向恢复时间并不等于规格书中结电容的充放电时间。这个结论是从二极管的规格书参数中直接得来的，并没有正面说明为啥。下面就来正面刚… 结电容先说结电容。 二极管是两个管脚的器件，说来不怕丢人，我曾误以为：二极管的结电容就是它的两个管脚形成的寄生电容，因为两个极板放到一起，就构成了一个电容。当然了，两个管脚确实会形成电容，不过这个电容很小，相比结电容来说，可以忽略不计了。那结电容到底指的是什么呢？所有的道理，其实都在PN结里面，我们稍稍深入了解下PN结，答案就出来了。结电容有两...
串扰=串音干扰▼点击下方名片，关注公众号▼串扰是由于线路之间的耦合引发的信号和噪声等的传播，也称为“串音干扰”。特别是“串音”在模拟通讯时代是字如其意、一目了然的表达。两根线（也包括PCB的薄膜布线）独立的情况下，相互间应该不会有电气信号和噪声等的影响，但尤其是两根线平行的情况下，会因存在于线间的杂散（寄生）电容和互感而引发干扰。所以，串扰也可以理解为感应噪声。线间耦合有杂散（寄生）电容引发的电容（静电）耦合和互感引发的电感（电磁）耦合。这些耦合现象会引发干扰。下图为每种耦合的示意图以及最简化的等效电路。上图...
▼点击下方名片，关注公众号▼PCB器件布局不是一件随心所欲的事，它有一定的规则需要大家遵守。除了通用要求外，一些特殊的器件也会有不同的布局要求。压接器件的布局要求1）弯/公、弯/母压接器件面的周围3mm不得有高于3mm的元器件，周围1.5mm不得有任何焊接器件；在压接器件的反面距离压接器件的插针孔中心2.5mm范围内不得有任何元器件。2）直/公、直/母压接器件周围1mm不得有任何元器件；对直/公、直/母压接器件其背面需安装护套时，距离护套边缘1mm范围内不得布置任何元器件，不安装护套时距离压接孔2.5mm范围内不得布置任何元器件。3）欧式连接...
▼点击下方名片，关注公众号▼MOSFET和三极管，在ON状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区)，与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定，但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变，因...
1、选择合适的增益，选择合适的增益电阻对任何一个选定的运放，在它能够实现的最小增益的基础上，适当提高闭环增益，可以有效提高系统稳定性。增益电阻尽量选择小的，以降低CIN-的作用。2、设计PCB图时，尽量减小杂散电容，特别是CIN-电路板设计时一般都会需要进行覆铜操作，覆铜操作的本质目的是增大地线面积，进而减小地线电阻和电感。但是覆铜操作也会带来两个问题：第一，它与同层信号线之间就形成了很长很长很长的近距离间隙，也就是很大的电容，如下图 1 中的 C1。第二，它与其他层的信号线形成了层间电容，如图 1 的C2，这些杂散电容，都会引...
1.引起振荡的原因：放大器周围存在着很多的反馈路径。不只是经过反馈电阻的，也有通过电源的以及印制电路线条的反馈路径。由于印制电路板以及连接到输出线缆等处的寄生元件的影响，稳定的放大器也会变得不稳定。这种寄生元件引起的振荡称为寄生振荡。另外，无旁路电容的电源的电压变动反馈到 OP 放大器的输入部分也会引起振荡。最直接的原因或通俗的解释1、环路增益大于1 2、反馈前后信号的相位差在360度以上，也就是能够形成正反馈。自激振荡的引起，主要是因为集成运算放大器内部是由多级直流放大器所组成，由于每级放大器的输出及后一级放大器的...
今天在这里良心推荐几个非常硬核，非常优质的公众号，如有感兴趣的，不妨关注一波吧，你会有所收获，但绝不会失去什么，还等什么呢？硬件工程师看海公众号『硬件工程师看海』工程师的必修之路，前沿技术的专业分享，有丰富的仿真、设计资料，每周二更新，一起欣赏科技之海。硬件文章精选华为海思软硬件开发资料▼点击下方名片，关注公众号▼信号完整性学习之路公众号『信号完整性学习之路』，专注高速信号设计，测试与仿真的基础知识，专注原创。建议大家关注广元兄的公众号，他将带你了解信号完整性。(关注回复“资料分享”，领取信号完整性相关学...
▼点击下方名片，关注公众号▼PCB板卡置于金属机壳中，机壳一般接大地。PCB的GND与机壳之间经常使用一个电容（0.01uF/1KV）并联一个电阻（1M）连接。请教一下：（1）这么连接据说是为了做ESD保护，具体原理是什么？（2）有些机器只用电容，没有1M电阻，两者有何区别？1. 电容是干啥用的从EMS（电磁抗扰度）角度说，这个电容是在假设PE良好连接大地的前提下，降低可能存在的，以大地电平为参考的高频干扰型号对电路的影响，是为了抑制电路和干扰源之间瞬态共模压差的。其实GND直连PE是最好的，但是，直连可能不可操作或者不安全，例如，220V交流电过...
▼点击下方名片，关注公众号▼国产MCU1、上海中颖电子主要提供：4位、8位、16位、32位MCU应用范围：家电、电机。2、北京兆易创新主要提供：32位MCU应用范围：工业自动化、人机界面、电机控制、安防监控、智能家居、物联网。3、华润微电子主要提供：8位、16位MCU应用范围：家电，消费类电子、工业自动化控制的通用控制电路。4、上海华大半导体主要提供：8位、16位、32位MCU应用范围：工业控制、智能制造、智慧生活及物联网等。5、上海复旦微电子主要提供：16位、32位MCU应用范围：智能电表、智能门锁等。6、深圳国民技术主要提供：32位MCU应用范围：...
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▼点击下方名片，关注公众号▼结点温度的计算方法1：根据周围温度（基本）结点温度（或通道温度）可根据周围温度和功耗计算。根据热电阻的思考方法，*Rth(j-a)：结点-环境间的热电阻根据贴装的电路板的不同而不同。向敝公司标准的电路板上贴装时的值表示为 "代表性封装的电阻值" 。Rth(j-a)的值根据各个晶体管的不同而不同，但如果封装相同，可以认为该值几乎是很接近的值。**功耗不固定，时间变化时按照平均功耗近似计算。（平均功耗的求法请参照 "晶体管可否使用的判定方法" ）下图显示了Rth(j-a)是250ºC/W、周围温度是25ºC时的功耗和结点温度的...
▼点击下方名片，关注公众号▼今天为大家分享19个5V转3.3V的多种方法。01使用LDO稳压器标准三端线性稳压器的压差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地转换为 3.3V，就不能使用它们。压差为几百个毫伏的低压降 （Low Dropout， LDO）稳压器，是此类应用的理想选择。图 1-1 是基本LDO 系统的框图，标注了相应的电流。从图中可以看出， LDO 由四个主要部分组成：导通晶体管带隙参考源运算放大器反馈电阻分压器在选择 LDO 时，重要的是要知道如何区分各种LDO。器件的静态电流、封装大小和型号是重要的器件参数。根据具体应用来确定各种参数，将会得到最优的...
▼点击下方名片，关注公众号▼IBM 刚刚官宣研发2nm芯片不久，台积电再次发起了挑战！ 台积电取得1nm以下制程重大突破，不断地挑战着物理极限。 近日，台大与台积电、美国麻省理工学院合作研究发现二维材料结合「半金属铋（Bi）」能达极低电阻，接近量子极限。 这项研究成果由台大电机系暨光电所教授吴志毅，与台湾积体电路和MIT研究团队共同完成，已在国际期刊Nature上发表，有助实现半导体1nm以下制程挑战。 沈品均、吴志毅、周昂升（从左至右） 半导体新材料「铋」：有望突破「摩尔定律」极限 目前半导体主流制程进展到5nm和3nm节点。 晶片...
—— The End ——推荐阅读▼突破！台积电1nm芯片，有了新进展。那这个题目考验硬件工程师？？电子小百科 | 晶体管篇之元件温度计算方法PCB尖端放电是个啥？这些问题整明白，你就是合格的硬件工程师有图有真相，4层板比2层板的辐射低多少？运放7大经典电路分析MOS管最经典的资料，没有之一请戳右下角，给我点一点在看！
▼点击下方名片，关注公众号▼前言上次（2020.10.28）的时候，我登陆立创商城，搜索stm32f103c8t6，单价15左右，100片的话，价格不到13。2021.5. 17 ，再次登陆，搜索stm32f103c8t6，价格疯长到了110+疯了啊！真的要考虑单片机型号的国产化了！说起MCU，ST（意法半导体）的STM32单片机十几年来已经销售了几十亿颗，在国内几乎占有50%的市场，会使用STM32单片机也基本成为电子工程师的标配职业技能，然而2018年下半年的供货紧张，以及中兴事件，给我们硬件工程师敲了敲警钟，假如有一天我们必须替换下STM32单片机，国产芯有哪些是可以替代的呢？北京...
▼点击下方名片，关注公众号▼1.放大器与比较器的主要区别是闭环特性放大器大都工作在闭环状态，所以要求闭环后不能自激。而比较器大都工作在开环状态更追求速度。对于频率比较低的情况放大器完全可以代替比较器（要主意输出电平），反过来比较器大部分情况不能当作放大器使用。因为比较器为了提高速度进行优化，这种优化却减小了闭环稳定的范围。而运放专为闭环稳定范围进行优化，故降低了速度。所以相同价位档次的比较器和放大器最好是各司其责。如同放大器可以用作比较器一样，也不能排除比较器也可以用作放大器。但是你为了让它闭环稳定所付出的...
▼点击下方名片，关注公众号▼发光二极管如今，LED在日常生活中已被广泛使用，在我国推广节能照明的政策下，生产LED的厂家不计其数。这种种迹象让人们理所当然地认为，和电脑、智能手机相比，这么个小小的灯管没有太多的科学含量。但实际上，我国铺天盖地的光伏企业所做的，仅仅是对LED的封装工作。这和电脑的生产十分相似，大大小小的企业只是把各个零件装配起来，牛X一点的企业还会自行设计电脑外形。在LED这个行业，所有的光电企业，技术水平几乎都达不到自行生产LED核心的部分，即发光二极管的芯片的程度。简单来说，半导体容易发出红黄光，很难...
▼点击下方名片，关注公众号▼上图是一个限流恒流电路，当电流低于阈值时，输出电流由负载决定，当负载加重，输出电流达到阈值时，输出电流稳定在阈值保持恒定，负载再加重的话，输出电流也保持恒定，而输出电压Vout会随着负载加重而下降。下面具体分析。图中R1和R2为分压电阻，使MOS管Q2的Vgs电压固定为12V.ZD1为稳压二极管，防止输入电压波动时，Q2的Vgs电压超过限制，保护MOS管。具体稳压管参数可根据MOS管规格书中Vgs限制参数来选择。电容C1为缓启动电容，刚上电时，因C1上电压为零，A点的电压最高，随着电容充电，充电电流越来越小，A点的电压...